关注我们的 WhatsApp 频道, TikTok 与 Instagram 以观看最新的短视频 - 开箱，测评与第一手新闻资讯。
Samsung自主研发对抗Sony IMX
Sony IMX 400传感器是首款封装了DRAM存储的Mobile Platform CMOS，搭载了这款CMOS的Sony旗舰手机自发布起就一直被称作“拍照黑科技”。另一家手机CMOS大厂Samsung很显然已经坐不住了，近日业内就有传闻称，Samsung的下一代Galaxy S系列旗舰手机将会配备类似IMX 400的CMOS，而且这款CMOS将由Samsung自主研发！
DRAM传感器小科普
在CMOS中封装存储RAM的好处，就是可以让手机的相机以数倍于以往的速度记录图像或拍摄视频；这也提供了手机拍摄1000帧慢动作（1000fps，现在普遍最高规格慢动作为240fps）的可能性，而Sony的IMX 400采用三层封装（图像传感器层、逻辑处理层和DRAM层）。
未免与Sony撞到专利，Samsung采用的方式则是：采用传统两层传感器+集成DRAM芯片的架构，而这款CMOS传感器将会直接定位为旗舰相机规格。
Samsung目前的相机规格都是混搭采用Sony IMX和Samsung CMOS的传感器，而Exynos版的Samsung S系列和Note系列都采用Sony自主研发的ISOCELL传感器，Snapdragon版则是使用Sony IMX，如果Samsung成功研发出DRAM传感器，则新款Galaxy S9极有可能全都搭载Samsung自家的CMOS传感器！
以现在Samsung旗舰系列的相机都表现不错，相信新的传感器会带来更好的体验吧（当然，如果成功研发）。更多新闻，留守TechNave中文版！
【资料来源】
大家来评论
