Samsung开始量产世界首批512GB eUFS 3.0存储芯片!比传统SSD快4倍,比microSD card快20倍!

新科技512GB的eUFS 3.0芯片正在被量产中,该芯片的性能比eUFS 2.1高出许多,Samsung也指出将来会将其作为标准使用在薄型笔记本上。512GB eUFS 3.0存储叠合了八个第五代512-gigabit V-NAND,读取速度可达2100 MB/s,比eUFS 2.1芯片快两倍。另外,该芯片的读取速度比在SATA界面运行的传统SSD快上4倍,更比一般microSD card快20倍,写入速度与SATA SSDs差不多,高达410MB/s。

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Samsung也在生产着128GB芯片以及即将准备生产256GB以及1TB的存储芯片,不过这可能是下半年的事情。那么会不会在下半年看到搭载在笔电还是手机上呢?

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