TSMC FinFET 和Samsung GAA在 3nm 制程技术的开发过程中都遇到了不同但关键的瓶颈。TSMC和Samsung因此将不得不推迟3nm制程工艺的开发进度。

该机TSMC的计划，3nm将于今年完成认证与试产，2022年投入大规模量产，甚至业界曾表示Apple已率先包下TSMC的3nm初期产能，成为TSMC 3nm第一批客户。3nm工艺推进延期意味着这两家半导体的5nm工艺寿命延长，但目前第一代5nm工艺似乎均出现了不同程度的不良现象，这将给两家厂商5nm优化留出足够时间。

同时，考虑到Intel先进制程目前最先进工艺是10nm，这也给Intel工艺追赶提供了机会。不过距离2022年投产还有充足时间，具体情况仍需观察。此前业界预计TSMC和Samsung的3nm工艺都会在2022年实现量产，但TSMC有望领先Samsung至少半年。

此前TSMC曾宣称，其3nm工艺会比最近的5nm工艺性能提升10%至15%，3nm芯片将提供20%至25%的节能提升。

此外，TSMC董事长刘德音此前表示，TSMC今年营收持续创新高，在3nm领先布局，于南科的累计投资将超过2万亿元新台币，目标是3nm量产时，12寸晶圆月产能超过60万片。相对的，Samsung晶圆代工业务准备投入1160亿美元，以实现在 3nm工艺上赶超TSMC。

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TSMC与Samsung在3nm开发遇瓶颈，量产时间恐将延迟！