Samsung Electronics和TSMC目前都计划开展 3nm 制程工艺研发。据外媒TomsHardware消息，Samsung在IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，Samsung工程师分享了即将推出的3nm GAE MBCFET芯片的制造细节。

GAAFET晶体管（闸极全环场效晶体管）从构造上有两种形态，是目前FinFET的升级版。Samsung表示传统的GAAFET工艺采用三层纳米线来构造晶体管，栅极比较薄；而SamsungMBCFET工艺使用纳米片构造晶体管，Samsung已经为 MBCFET注册了商标。Samsung表示，这两种方式都可以实现3nm，但取决于具体设计。

第一种 GAAFET 晶体管的想法早在 1988 年便被提出，这项技术允许设计者通过调整晶体管通道的宽度来精确控制性能和功耗。较宽的材料便于在大功率下获得更高的性能；而较薄的材料可以降低功耗，但是性能受影响。

IT之家了解到，Samsung于2019年便展现了3GAE工艺的原理。Samsung表示，与7LPP技术相比，3GAE能够实现30%的性能改进，功率降低50%，此外晶体管密度可以提升80%。

【资料来源】

Samsung演示3nmMBCFET芯片！采用纳米片结构制造晶体管！