Samsung新晶圆生产线即将建成投产且用于制造 V-NAND闪存芯片!

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根据韩国媒体BusinessKorea报道,Samsung韩国平泽市晶圆加工厂的第二条生产线即将建成投产,预计于2021年6月初完成建设。生产线名称为Pyeongtaek Plant 2 (P2),紧靠早些时候建设的P1生产线。

Samsung Electronics位于平泽市的P1生产线于2017年开始投产,自从2020年下半年开始使用EUV工艺生产10nm LPDDR5内存等产品。新的P2生产线则是于2018年开始建设,同样具有先进制程芯片的制造能力,将会用于制造V-NAND闪存颗粒。官方表示,P2 生产线将于2021年下半年开始投产。

Samsung Electronics此前位于美国得州的晶圆代工厂因停电而停产其实加剧了全球芯片短缺的状况。随着平泽市P2生产线的建成,目前全球芯片短缺问题也希望会被缓解。Samsung官方此前也表示,今年的“不确定性”将持续,但全球芯片需求将会增加,可是无论情况如何,Samsung将专注于开发第四代10nm DRAM 和第七代 V-NAND。

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