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前一阵子，IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。核心指标方面，IBM称该2nm芯片的晶体管密度（MTr/mm2，每平方毫米多少百万颗晶体管）为333.33，几乎是台积电5nm的两倍，也比外界预估台积电3nm工艺的292.21 MTr/mm2要高。
不过就在IBM宣布事情的不久后，台积电就联手台大和MIT宣布已取得1nm以下制程重大突破！据消息指出，台积电、台大与MIT携手研发出半导体新材料铋，宣称能大幅降低电阻并提高传输电流，有助于未来突破摩尔定律极限。
这项研究成果由台大电机系暨光电所教授吴志毅与台积电和MIT研究团队共同完成，有助应对半导体1nm以下制程挑战。随着晶圆单位面积能容纳的晶体管数目已逼近主流材料硅的物理极限，晶体管效能也无法再逐年显著提升。近年科学界积极寻找能取代硅的二维材料，挑战1nm以下的制程。据悉，台大、台积电和MIT自2019年就展开了合作，如今也成功向大众宣布已取得1nm以下制程重大突破。
消息指出，台积电技术研究部门将铋沉积制程进行优化，最后台大团队运用氦离子束微影系统将元件通道成功缩小至纳米尺寸，以成功获得突破性的研究成果。吴志毅教授表示，在使用铋为接触电极的关键结构后，二维材料晶体管的效能不但与硅基半导体相当，还有潜力与目前主流的硅基制程技术相容，有助于未来突破摩尔定律极限。
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