近日举办的Samsung代工论坛2021大会上，Samsung披露了最新工艺进展和路线图。FinFET晶体管结构的潜力几乎已被挖掘。Samsung下一步就是用GAA环绕栅极，其中3nm工艺有两个版本，3GAE（低功耗版）将于2022年初量产。3GAP（高性能版）将于2023年初量产。

与5nm相比，Samsung新的3nm GAA可减少面积35%，同等功耗下性能提升30%，同等性能下功耗降低50%。同时，Samsung首次披露2nm，2025年量产2nm工艺并未出现在公开路线图上，但Samsung代工市场战略高级副总裁Moon Soo Kang透露2GAP工艺将于2025年量产。这是Samsung首次公开其2nm工艺计划，但Samsung也称，新工艺的进展将取决于客户的规划和部署。

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Samsung的3nm GAA性能将提升30%！