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根据芯智讯报道，中国集成电路设计业2021年会暨无锡集成电路产业创新发展高峰论坛于12月22日举办。TSMC（南京）有限公司总经理罗镇球做了主题为《半导体产业的新时代》的主题演讲。
罗镇球宣布，虽然有很多人说Moore’s Law在减速或者在逐渐消失，可事实上TSMC正在用新工艺证明了Moore’s Law仍在持续往前推进。TSMC的 7nm工艺是在2018年推出的，5nm在2020年推出，在2022年会如期推出3nm工艺，而且2nm工艺也在顺利研发。
根据TSMC展示的路线图，从5nm工艺至3nm，晶体管逻辑密度可以提升1.7倍，性能提升11%，同等性能下功耗可以降低25%-30%。
如何在未来实现晶体管的进一步微缩，罗镇球透露了两个方向：
- 改变晶体管的结构：Samsung将在3nm制程采用全新的“环绕栅极晶体管”（GAA）结构，而TSMC 3nm依旧采用鳍式场效晶体管（FinFET）结构。不过，TSMC研发Nanosheet / Nanowire的晶体管结构（类似 GAA）超过15年，已经达到非常扎实的性能。
- 改变晶体管的材料：可以使用二维材料做晶体管。这会使得功耗控制得更好，而且性能会更强。
罗镇球还表示未来将运用3D封装技术来提高芯片的性能，降低成本。目前，TSMC已经将先进封装相关技术整合为“3DFabric”平台。除此之外，TSMC还将在ADAS和智能数字驾驶舱的汽车芯片应用5nm工艺平台“N5A”，预计将在2022年第三季度推出，能够符合AEC-Q100、ISO26262、IATF16949等汽车工艺标准。
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