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Samsung Electronics今日宣布，公司已经开始在位于韩国的华城工厂大规模生产 3nm半导体芯片，是全球首家量产 3nm芯片的公司！
这意味着，在新一代芯片工艺的节点上，Samsung成功实现了对台积电的弯道超车，抢先拿下了3nm芯片市场。据Samsung介绍，在3nm芯片上与前几代使用 FinFET 的芯片不同，Samsung使用的 GAA（Gate All Around）晶体管架构，该架构大大改善了功率效率。
Samsung在一份声明中指出，与传统的 5nm芯片相比，新开发的第一代 3nm工艺可以降低 45% 的功耗，性能提高 23%，并减少 16% 的面积。Samsung还称，第二代 3nm GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达 50%，性能提高 30%，面积减少 35%。
Samsung没有透露 3nm公司的客户身份，分析师表示，预计Samsung本身和中国虚拟货币挖矿机芯片设计公司上海磐矽半导体将成为最初的客户之一。
作为对比，台积电和Intel分别计划在今年下半年和明年下半年开始大规模生产 3nm芯片。
台积电（TSMC）是世界上最先进的代工芯片制造商，控制着全球 54% 的芯片合同生产市场，Apple和Qualcomm等没有自己半导体设施的公司都是其客户。
虽然Samsung是第一个生产 3nm芯片的公司，但台积电正计划在 2025 年实现 2nm芯片的批量生产。这意味着Samsung方面需要加紧新技术的研发工作，以防在下一代新技术上被台积电反超。
另一方面，由于4nm制程芯片的功耗问题，Qualcomm等重要客户对Samsung的3nm制程工艺目前都保持观望态度，不敢随意进行尝试。
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