在几周前宣布开启 3nm环栅晶体管芯片生产后，这家韩国电子科技巨头又将于下周展示首款GAA芯片。与当前5nm工艺相比，3nm GAA可在收缩尺寸的同时，带来更低的功耗和更高的性能，未来的Galaxy S等旗舰设备有望获益于此。同时竞争对手TSMC也于本月开启了3nm FinFET生产，但GAA芯片要到2025年推出。

目前尚不清楚Samsung 3nm GAA会从TSMC那边挖来多少客户，但从纸面参数来看，其较5nm工艺的升级迭代还是相当亮眼的。对于移动设备来说，环栅晶体管将带来能效的显著提升和尺寸缩进，从而延长电池的续航。

此外 GAA 的设计灵活性，意味其非常有利于设计技术协同优化（DTCO），以及提升功耗、性能和面积（PPA）优势。具体说来是，初代3nm工艺比5nm节能高达45%，提升23%性能、并减少16%的芯片面积。而二代3nm工艺有望降低50%功耗，性能提升30%、并缩减35%的芯片面积。

即便如此，Samsung仍面临着TSMC的直接挑战。当前Apple iPhone、iPad、Mac设备上使用的所有A/M系列芯片，都是交给TSMC代工的。更尴尬的是，即使 2022下半年被诸多Android旗舰智能机提供支撑的Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1升级款（Snapdragon 8+ Gen 1），也从Samsung换成了TSMC代工。

据悉，Samsung原本计划在Galaxy S22上采用自研旗舰芯片，但可惜遇到了过热的问题，最终只能节流以缓和性能体验。至于未来是否还有基于 3nm GAA 环栅晶体管技术的新规划，目前暂不得而知。最后，来自韩国的一份报告称，Samsung已安排于 7 月 25 日举办首款 3nm 芯片的发布仪式。然而首个买家却是一家加密货币挖矿企业，这类客户显然难以帮助Samsung从TSMC那里抢来更多业务。

Samsung将于下周展示全球首款3nm芯片！