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闪存芯片是电脑等硬件设备必不可少的零件之一。除了芯片以外，据路透社报道称，美国正考虑限制中国制造128层堆叠以上的NAND Flash闪存芯片，限制对象包括长江存储，以此限制中国的半导体产业发展。
消息人士透露，如果美国确定采取该项计划，将对Samsung和SK海力士的闪存工厂造成影响。据悉，Samsung在中国拥有两家大型的NAND Flash工厂，SK海力士此前收购了Intel旗下在中国的NAND Flash制造业务。还有人表示，美国将禁止向中国出口用于制造128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备。
目前长江存储已成功量产128层NAND Flash，正积极研发232层NAND Flash，或将于年底量产。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出，长江存储的低价战略将对美国企业构成直接威胁。美国商务部指控长江存储向HUAWEI畅享20e提供NAND闪存芯片，违反美国的出口禁令。
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