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据 Hankyung 报道，Samsung 设备解决方案部门总裁 Kye Hyun Kyung 提出了 Samsung 半导体将赶上竞争对手台积电的未来愿景。
在 KAIST（韩国科学技术院）的一场演讲上，Kye Hyun Kyung 承认 Samsung 的代工技术“落后于台积电”。他解释说，Samsung 的 4nm 技术比台积电落后大约两年，而其 3nm 工艺则比台积电落后大约一年。
不过，Kye Hyun Kyung 也表示，但等到 2nm 就会发生变化，并大胆预测：“我们可以在五年内超越台积电。”
Samsung 可能在未来五年内跑赢台积电的想法，源于 Samsung 打算从 3nm 制造工艺开始使用 Gate All Around（GAA）技术。相比之下，台积电在达到 200 万产量之前不会使用 GAA。
GAA 是一种生产工艺，可以使 Samsung 生产出比台积电目前使用的工艺更小（45%）、能耗更低（50%）的芯片。Kye Hyun Kyung 称“客户对 Samsung 电子的 3nm GAA 工艺的反映很好”。
Kye Hyun Kyung 还表示，Samsung 预计存储半导体在开发 AI 服务器方面将变得更加重要，并超过 NVIDIA GPU，并称 Samsung 将“确保以存储器半导体为中心的超级计算机能够在 2028 年问世”。
Samsung 近期称，其 4nm 芯片制程良率已改善、接近 5nm 的水准，下一代 4nm 制程将提供更高的良率。
业内消息人士透露，美国芯片巨头 AMD 公司已经选择了 Samsung 作为其 4nm 处理器的合作伙伴。此外，Google 也将委托 Samsung 生产其 Pixel 8 智能手机的 Tensor 3 芯片，采用 Samsung 第三代 4nm 工艺节点。
上述目前还是网络消息，一切还有待官方揭晓。更多科技资讯，请继续守住 TechNave 中文版！
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