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近日，SK Hynix在官网宣布，其LPDDR5T移动DRAM已在天玑9300平台完成性能验证。经测试，LPDDR5T的速度达到了9.6Gbps，比上一代的LPDDR5X快13%，成为全球最快移动内存。
据悉，LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行，同样集成了HKMG工艺，并计划采用1αnm工艺制造，以实现最佳的效能。
除了能用在智能手机上，LPDDR5T同样可以用在笔电上。9.6Gbps的LPDDR5T内存以双通道形式存在封装在笔电内部，带宽可以翻倍到154GB/s。
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