不久前，Qualcomm发布了全新一代旗舰处理器——Snapdragon 8 Gen 3！与 Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy 一样，Snapdragon 8 Gen 3也采用了单个高性能核心，只不过Qualcomm提高了所有 Cortex-A720 核心的时钟速度，这将有助于提升SoC 的多核性能。

那么Snapdragon 8 Gen 3和Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy相比有怎样的提升呢？近日一名X网友Golden Reviewer在搭载Snapdragon 8 Gen 3的Xiaomi 14 Pro上进行了SPECint06大核基准测试，Snapdragon 8 Gen 3获得了69.28分，比超频版的Snapdragon 8 Gen 2的60.86分高出13%，但却是以功耗大大提升为代价的，前者的功耗达到了6.27瓦。

这一数字比Snapdragon 8 Gen 2 for Galaxy的功耗高出 28%，最高功耗为 4.90 瓦，每瓦性能得分高于Snapdragon 8 Gen 3。这样一来，Snapdragon 8 Gen 2 的能效甚至比Snapdragon 8 Gen 3 更高。

媒体猜测，这可能是Qualcomm公司今年坚持使用台积电的 4 nm”N4P”工艺可能已经达到了极限，不得不通过提高功耗来弥补性能差异。这些变化可能会导致温度升高、电池续航迅速缩短以及其他不利因素。

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【资料来源】

Snapdragon 8 Gen3比超频版8 Gen 2性能提升13% ，但功耗却增加了28%