继 HUAWEI 正式公布 KIRIN 9020 之后，外界已开始关注下一代处理器的动向。近日有供应链消息称，HUAWEI 将在今年第四季度发布全新的 KIRIN 9030，并且会带来多个不同型号。

业内人士指出，既然 HUAWEI 已敢于公开宣布 KIRIN 的命名，就说明该系列已实现完整国产化，美国制裁的影响正在逐步减弱，这无疑是国产芯片的重要突破。

关于 KIRIN 9030 的规格，有分析认为其极有可能基于 5nm 工艺打造。此前流出的“鲲鹏930”细节，以及多位博主提到的国产 N+3 工艺，均为这一推测提供了佐证。根据专利信息显示，中芯国际 N+3 工艺的晶体管密度达到 125MTr/mm²（每平方毫米 125 亿晶体管），水平介于台积电 N6（113MTr/mm²）与三星早期 5nm（127MTr/mm²）之间，相当于台积电的 5.5nm 工艺。

相比 14nm（约 35MTr/mm²），N+3 的密度提升超过 250%，展现了中芯国际在 FinFET 架构上的持续优化实力。虽然 N+3 的能效仍较台积电 N5/N4 工艺落后约 15%–20%，主要受限于缺乏 EUV 光刻机，但整体表现已可对标台积电 N7P/N6。这意味着中国芯片正逐步突破技术瓶颈，向先进制程迈出关键一步。

如果 KIRIN 9030 真如传言所说基于 N+3 工艺量产，那么中国 5nm 的里程碑将正式确立，未来 HUAWEI 在高性能移动芯片领域的竞争力值得期待。

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【资料来源】

5nm可期！曝HUAWEI第四季度将发布全新KIRIN 9030，多型号登场！