TSMC在近期展开的国际固态电路研讨会ISSCC 2021中，由董事长刘德音表示3nm制程技术进度超前，预计会在今年下半年进入试产，并且在2022年正式用于量产。相较目前进入量产的5nm制程，在3nm制程技术将可让电晶体密度提高70%，并且让晶片运作时脉可达生11%，或是让电功耗降低27%。

不过，跟Samsung在3nm制程技术导入环绕式闸极结构(GAA)电晶体的作法不同，TSMC在第一代3nm制程技术依然维持采用鳍式场效(FinFET)电晶体设计，但未来同样也会在EUV光刻技术应用着力，不仅能藉由350W功率对应5nm制程技术使用，未来也能用于1nm制程技术。

依照刘德音表示，预期未来的半导体产业依然会延续摩尔定律成长，包含每2年升级一次制程技术，同时每隔10年就会有一次重大技术改革

此外，随着制程技术持续缩减，未来晶片设计将会结合更多员堆叠应用模式，例如导入更多电晶体数量、嵌入更多记忆体模组，或是强化系统单晶片形式设计。

【资料来源】

TSMC的3nm工艺制程将超前于2022年进入量产阶段！功耗有效减低27%！