Samsung电子技术部门高层日前透露，该公司的3nm制程领先主要竞争对手TSMC。利用该公司最新GA 技术，能够缩减晶片面积达45%，功率效率增加50%。

日前Samsung电子装置解决方案事业部门技术长Jeong Eun-seung在一个网络技术论坛中透露，Samsung开发中的GAA 技术已领先主要对手TSMC。一旦巩固这项技术，该公司的晶圆代工事业可得到更好的成长。Samsung指虽然他们的晶圆代工事业在2017年才开始，但凭着记忆晶片领域所得到的技术根基，可超越TSMC。

Samsung的环绕闸极GAA技术是3nm制程的主要关键，此技术改变电晶体架构，从鳍式场效电晶体的3D转变成GAA技术的4D。经测试后，其晶片缩减面积达45%，功率效率增加50%。TSMC则在较早前透露他们会沿用鳍式场效电晶体架构应用在3nm制程量产。

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Samsung称自家3nm技术领先TSMC或成为全球晶圆代工新势力！