在IEDM 2021国际电子元件会议中，IBM和Samsung 宣布，在半导体设计方面有重大进展，可让晶片垂直堆叠。新的垂直传输场效电晶体（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进的FinFET 技术，并允许晶片比现时的晶体管排列得更密集。

除了让晶体管数量密度再次提高之外，还能更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈。

新设计将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数晶片上使用的左右水平布局。折现新科技相对传统电晶体以水平方式堆叠形式设计，垂直传输场效电晶体能增加电晶体数量，运算速度可提升2倍。

同时得益于垂直设计，能让电流更易通过，电力损耗可降低 85%。按新设计推算，手机充电一次，就可使用长达一周。官方也表示，这也可以使某些能源密集型的任务，包括加密工作，更加省电，从而减少对环境的影响。

不过目前IBM和Samsung尚为透露何时将该技术量产，应用到新产品上。预期晚些会有进一步的更新消息。更多的科技资讯，请继续守住TechNave中文版！

【资料来源】

Samsung与IBM共同开发VTFET芯片技术：手机可用一星期无需充电，助力实现1nm 以下制程！