据报道，Samsung Electronics已正式决定将高带宽内存（High Bandwidth Memory – HBM）的研发周期从此前约两年大幅缩短至一年以内。

据悉，Samsung已制定并正在执行一项计划，每年推出新一代HBM，以配合NVIDIA等主要客户新款AI加速器的发布节奏。HBM是AI加速器的核心组件。Samsung目前最新量产产品为HBM3E，下一代HBM4预计今年随NVIDIA Vera Rubin及AMD Instinct MI400平台一同推出。

今年3月，Samsung曾在NVIDIA GTC 2026上公开展示HBM4E实体样品，可实现16Gbps传输速率及4.0TB/s带宽。首批HBM4E样品已锁定2026年5月产出，将优先供应NVIDIA进行评估。

但AI加速器厂商已普遍转向每年更新一代产品的发布周期，HBM供应商若无法同步跟进，将面临技术滞后乃至客户流失的风险。更紧迫的是，市场研究机构Counterpoint数据显示，2026年SK Hynix预计占据全球HBM市场约54%的份额，Samsung仅约28%。

Samsung此次主动压缩研发周期，本质上是以供应链节奏对齐客户路线图，将自身嵌入AI硬件生态的核心链条。Samsung内存产品与技术执行副总裁SangJoon Hwang在GTC 2026上已透露，HBM5的基础裸片将从4nm工艺跨代升级至2nm工艺。

【资料来源】

Samsung正式决定将HBM研发缩至一年，全力绑定NVIDIA抢单！