Samsung Electronics宣布已开始向全球主要客户交付业界首款12层HBM4E高带宽内存样品，此举距离该公司今年2月量产上一代HBM4仅过去三个月。

本次交付的12层HBM4E内存单颗容量达到48GB，较上一代产品提升超过30%。Samsung还表示，未来将根据客户的具体需求，继续扩充32GB的8层版本以及64GB的16层产品线。

在核心性能上，HBM4E的单引脚数据传输速率最高可达16Gbps，相比HBM4提升了20%以上。其单堆栈带宽高达每秒3.6TB，能大幅优化大型语言模型和下一代AI计算系统的处理效率。这款新一代存储产品采用了Samsung先进的第六代10纳米级（1c）DRAM工艺，并结合了Samsung代工厂的4nm逻辑基础裸片技术制造，确保了优异的生产稳定性。

除了性能升级，能效与散热表现也获得了显著改善。通过采用先进的低功耗设计和优化的封装结构，HBM4E的能源效率提升了16%，热阻特性改善了14%以上。这些技术演进能够有效减少数据中心高负载运行时的发热量，延长设备的使用寿命。Samsung计划在完成初步的样品测试与优化后，配合客户日程开启HBM4E的大规模量产。

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Samsung全球首发HBM4E高带宽内存样品！